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  市场活跃度再度回升!

  11月13日,A股各大指数集体上涨,个股涨多跌少。其中,福建板块大幅拉升,:厦工股份(4.080, 0.37, 9.97%):龙洲股份(5.890, 0.54, 10.09%)直线涨停,:平潭发展(9.890, 0.90, 10.01%):宁德时代(415.600, 29.22, 7.56%):金龙汽车(16.600, 1.51, 10.01%)等纷纷跟涨。午后,:合兴包装(4.080, 0.37, 9.97%)也大幅异动,该股从拉升动作开始,至涨停板,用时仅2分钟。截至下午收盘时,福建板块涨停的个股多达12只。

  存储芯片概念股今日也集体走强,:天奥电子(19.900, 1.81, 10.01%):诚邦股份(17.300, 1.57, 9.98%)等多股涨停;:佰维存储(142.730, 16.66, 13.21%)盘中一度大涨超19%,股价再创历史新高。有分析指出,DRAM与NAND供给紧张,价格持续上行,存储芯片产业正迎来结构性繁荣期。

  福建板块再度异动

  在高位横盘近10个交易日后,福建板块今日(11月13日)再度迎来大涨行情,通达信福建板块指数涨幅接近4%,创出历史新高。

  个股方面,开盘10分钟内,厦工股份、龙洲股份就被资金直线拉升至涨停板;下午13时16分,合兴包装也直线拉升,至13时18分,该股封死涨停板;紧随其后,:海欣食品(5.910, 0.54, 10.06%)也在10分钟内拉升至涨停板。

  截至下午收盘时,福建板块涨停的股票有12只,分别为龙洲股份、:三木集团(7.230, 0.66, 10.05%):东百集团(10.000, 0.91, 10.01%):盛屯矿业(12.210, 1.11, 10.00%):(维权)、厦工股份、:中国武夷(3.760, 0.34, 9.94%):闽发铝业(4.870, 0.44, 9.93%)、金龙汽车、平潭发展、海欣食品、:九牧王(11.440, 1.04, 10.00%)、合兴包装。其中,三木集团已连续5个交易日涨停,东百集团连续4个交易日涨停。

  此外,宁德时代放量大涨超7%,创出近1个多月新高,全天成交额接近230亿元。日前,宁德时代董事长曾毓群在2025世界动力电池大会上表示,目前,公司量产的第四代磷酸铁锂电池,在高比能、长寿命、高功率方面,全面领先行业主流的第二代、第三代产品。在此基础上,近期,公司的第五代产品已经开始量产,在能量密度和循环寿命上实现了新的突破。

  曾毓群还表示,公司今年推出的‘钠新’钠离子电池,有效降低对锂资源依赖,更安全、更低碳,并解决了低温性能痛点,为北方高纬度地区的新能源车普及提供了新路径。而在全固态电池方面,公司的研究和产业化进度也处于全球前列。

  另据厦门日报11月13日报道,随着全球新能源产业加速升级,绿色低碳产品需求持续释放,福建省锂电池出口呈现强劲增长态势。厦门海关12日发布的数据显示,1月至10月,福建省锂电池出口破千亿大关,达到1083.8亿元,创历史同期新高,占同期福建省出口总值的11.3%。

  作为福建省优势特色产业,锂电池产业以13.7%的显著增长,有力带动福建全省出口整体逆势增长1.3个百分点。据厦门海关介绍,民营企业是福建省锂电池出口的绝对主力。1月至10月,福建省民营企业出口锂电池占比超九成,出口值达1033.4亿元,在全国各省中排名第一。

  数据显示,1月至10月,欧美仍是福建省锂电池出口的主要市场。同时,新兴市场开拓成效显著,对印度、韩国等出口增长势头迅猛,为出口增长注入新活力。

  存储芯片概念股走强

  今日盘中,存储芯片概念股也集体走强,板块指数整体涨幅一度超过2%。截至下午收盘时,存储芯片板块上涨1.6%,天奥电子、诚邦股份、:多氟多(37.700, 3.43, 10.01%):万通发展(11.970, 1.09, 10.02%):(维权)涨停,佰维存储涨超13%,:壹石通(36.400, 4.18, 12.97%):微导纳米(55.200, 6.33, 12.95%)涨超12%,:兆易创新(227.500, 18.00, 8.59%)涨超8%。

  日前,有外媒报道称,三星电子、SK海力士和铠侠等正在谋划推动NAND价格上调。据悉,三星目前正与海外大型客户讨论明年的供货量,并在内部考虑将价格上调20%至30%以上。与此同时,三星、SK海力士、铠侠、美光这四大存储龙头今年下半年都纷纷削减NAND闪存供应量。报道称,北美大型科技企业担心NAND价格飙升,已开启“恐慌性囤货”,部分供应商明年NAND供货量已被抢订一空。

  :招商证券(17.190, 0.05, 0.29%)近日发布研报称,存储芯片产业正迎来结构性繁荣期。HBM、HBF等高带宽存储技术的快速发展,加之产能优先向高端产品倾斜,使得供应商掌握定价权,传统DRAM与NAND供给紧张,价格持续上行。行业巨头如SK海力士与三星电子在HBM市场的领先地位进一步强化其盈利能力,同时带动上游设备、材料、封装厂商及下游AI服务器、云计算与终端设备的配套增长。

  开源证券指出,在AI超级周期的拉动之下,存储芯片正面临短缺。从需求层面看,AI服务器对存储的需求呈指数级增长,单台AI服务器的DRAM用量约为传统服务器的8倍,NAND用量约为3倍,2025年AI对存储的需求占比来到40%,未来或将进一步提升。

  此外,HDD的产能紧张也导致SSD为代表的半导体存储渗透加速;供给层面而言,三星、海力士等原厂均表示未来将把大部分资本开支投向持续紧缺的HBM及高利润率的产品。结果而言,据半导体产业观察,传统DRAM可能在2027年后才开始回稳,NAND与高容量存储需求可能会持续至2028年甚至更久,因此,国内存储厂商扩产有望在缺货的情况之下带动份额扩张,扩产的必要性在提升。

  开源证券表示,从工艺层面而言,存储扩产将会显著带动刻蚀与薄膜设备需求,如3DNAND涉及的关键工艺包含ONON交替沉积、高深宽比通孔刻蚀、孔壁ONO沉积、台阶刻蚀、狭缝刻蚀等;而DRAM涉及的关键工艺包括多重曝光、电容高深宽比刻蚀和沉积、HKMG沉积等。当前国产设备公司在各类工艺取得突破,如:北方华创(413.670, 0.52, 0.13%):中微公司(303.520, 0.77, 0.25%)部分高深宽比刻蚀设备已经在下游客户产线实现量产,:拓荆科技(336.400, -4.63, -1.36%)应用于先进制程的薄膜沉积机台也已在Q3实现量产,同时:中科飞测(125.800, -2.67, -2.08%)明场纳米图形晶圆缺陷检测设备也已进入先进产线验证。因此,持续突破下,存储设备国产化率有望步入增长快车道。

 

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